半導体ウェーハ上のフォトレジスト除去方法及び除去装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：天野広
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-157288
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349006
特許番号：特許第3348695号
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】オゾン溶解水を用いて半導体ウェーハ上のフォトレジストを除去する方法において、前記半導体ウェーハに赤外線を照射することにより、前記半導体ウェーハを昇温する第一の過程と、前記半導体ウェーハが所定の温度に達したときにオゾン溶解水を前記半導体ウェーハ上に吐出する第二の過程と、を備えることを特徴とする半導体ウェーハ上のフォトレジスト除去方法。

IPC (3件)：