特許
J-GLOBAL ID：201103065270008427
試料のエッチング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-054459
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244245
特許番号：特許第3447647号
出願日： 2000年02月25日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】真空容器中にプラズマを発生させ、試料を設置する試料台に高周波バイアスを印加し、共に有機系材料からなるマスク材及び反射防止膜が形成された前記試料に対して、前記プラズマを用いて前記反射防止膜のエッチング処理を行う試料のエッチング方法において、該真空容器中に主エッチングガスの水素ガスに炭素を構成元素として含む堆積性ガスを添加した混合ガスを導入し、発生したプラズマを用いて前記反射防止膜のエッチング処理を行うことを特徴とする試料のエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23F 4/00 D
, H01L 21/302 105 A
