特許

J-GLOBAL ID：201103065291930644

フォトダイオードの製造方法

発明者： 河原 秀明
出願人/特許権者： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-138713
公開番号（公開出願番号）：特開2001-320079
特許番号：特許第3628936号
出願日： 2000年05月11日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型の第1の半導体層の主面に第2導電型の第2の半導体層を形成する工程と、上記第2の半導体層上に金属膜で構成されるマスク層を形成する工程と、上記マスク層上に複数層からなる絶縁層を形成する工程と、上記絶縁層上に開口パターンのレジスト膜を形成し、上記マスク層をストッパとするドライエッチングにより上記絶縁層を除去して上記絶縁層に開口部を形成する工程と、上記開口部に露出された上記マスク層をウェットエッチングにより選択的に除去する工程とを有するフォトダイオードの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/308 ,  H01L 27/14

FI (4件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 21/308 D ,  H01L 21/302 C ,  H01L 27/14 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• フォトダイオードの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-094984   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭61-208850
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-044897   出願人：富士通株式会社
• 特開昭61-208850