特許

J-GLOBAL ID：201103065341140518

エッチング方法

発明者： 奥村 智洋 ,  矢代 陽一郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-048814
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237232
特許番号：特許第3565127号
出願日： 2000年02月25日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】真空容器内にガスを供給しつつ排気し、前記真空容器内の基板電極に高周波電力を印加することで前記真空容器内にプラズマを発生させ、タングステン膜が形成された基板を処理する方法であって、前記真空容器内に塩素ガスのみを供給することで前記タングステン膜の最表面に形成された自然酸化膜を除去した後、前記真空容器内に塩素ガスまたは塩化水素ガスを含むガスを供給することで前記タングステン膜をエッチングし、更に前記真空容器内に塩化水素ガスと酸素ガスを含むガスをその流量比が2:1乃至20:1で供給することでオーバーエッチング処理することを特徴とするエッチング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/3213

FI (6件)：

H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 高融点金属膜のドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-028891   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-096223
  
• 特開平4-096223