特許

J-GLOBAL ID：201103065629638170

磁気抵抗効果膜、およびそれを用いたメモリ

発明者： 池田 貴司
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  伊藤 克博 ,  石橋 政幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-305068
公開番号（公開出願番号）：特開2003-110167
特許番号：特許第3592282号
出願日： 2001年10月01日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1及び第2の磁性層と、前記第1及び第2の磁性層に挟まれたトンネル障壁層とを有し、前記第1及び第2の磁性層の少なくとも一方が希土類金属と遷移金属とを主成分とするフェリ磁性層である磁気抵抗効果膜において、前記フェリ磁性層の前記トンネル障壁層との界面付近に存在する希土類金属が酸化しており、前記酸化した希土類金属が島状または網状に形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果膜。

IPC (6件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12

FI (6件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R ,  H01L 27/10 447

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気抵抗素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-109571   出願人：キヤノン株式会社