特許
J-GLOBAL ID：201103065745154067
三次元錯体の内部空孔での光化学反応によるシクロブタン誘導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮本 晴視
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-246043
公開番号（公開出願番号）：特開2003-055271
特許番号：特許第3650968号
出願日： 2001年08月14日
公開日（公表日）： 2003年02月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】10族の金属にアルキレンジアミン、2,2’-ビピリジンおよび1,10-フェナントロリンを基本骨格とする二座配位子が配位した二価の金属錯体と該金属錯体の遷移金属に自己組織的に配位する少なくとも3つのN原子を有し、これらの原子により決定される4面体〜8面体の三次元かご状遷移金属錯体を形成する6員芳香環の1,3,5-位または2,4,6-位に、4-ピリジル、3-ピリジル、または5-ピリミジル基を置換した、または3,3’,5,5‘-テトラキス(3-ピリジル)ビフェニル、オリゴ(3,5-ピリジン)からなるパネル状有機分子とから形成される三次元かご状遷移金属錯体内に、光化学反応によりシクロブタン環を形成して二量化する同種の化合物(ホモ)または異種の化合物(ヘテロ)を内包させ、前記内包された化合物の反応を誘起する光を照射することにより前記シクロブタン環の形成によりシクロブタン誘導体を製造する方法。
IPC (4件)：
C07C 2/42
, C07C 13/62
, C07C 46/00
, C07C 50/36
C07C 2/42
, C07C 13/62
, C07C 46/00
, C07C 50/36
