電界効果半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：眞鍋潔 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-271631
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094091
特許番号：特許第3438133号
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ヘテロ接合を生成する半導体層を含んで積層された複数の半導体層と、該複数の半導体層に於ける最表面の半導体層をエッチングして形成されたソース・リセス及びドレイン・リセスと、該ソース・リセス内に表出された下地に於ける少なくともゲート側を完全に覆ってコンタクトすると共にリセス外に於いてゲート方向に張り出して該最表面の半導体層に一部がコンタクトしたソース電極と、該ドレイン・リセス内に表出された下地に対してゲート側から所定距離を置いてコンタクトすると共にリセス外に於いてゲートと反対側に張り出して該最表面の半導体層に一部がコンタクトしたドレイン電極とを備えてなることを特徴とする電界効果半導体装置。

IPC (3件)：