化合物半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-217833
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077651
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】高電子移動度電界効果トランジスタに関し、ウォークアウト現象が発生しにくく、耐圧を向上するとともに、ゲート電極からコンタクト層の間の領域のリセス長が1μm以下のトランジスタであっても電力付加効率を高く維持する。【解決手段】高電子移動度電界効果トランジスタの電子供給層の上の層に含まれる不純物濃度を1×101 6 〜1×101 7 atoms/cm3 の範囲に設定し、又は、ショットキー層のバンドギャップを電子供給層のそれよりも広くし、又は、高電子移動度電界効果トランジスタ製造工程において、GaAsコンタクト層9に形成された第1のリセス11の内側の領域で、第2のリセス14が形成されるGaAs埋込層7の上に窒化シリコン膜12を形成した後に、さらに、GaAs埋込層7を加熱する工程を含む。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板の上に形成され、第1のドナー濃度と第1のバンドギャップを有する材料からなるチャネル層と、前記チャネル層上に形成され、且つ前記第1のバンドギャップよりも広い第2のバンドギャップを有し、前記第1のドナー濃度よりも高濃度である第2のドナー濃度を有する材料からなるキャリア供給層と、前記キャリア供給層の上に形成され、且つ下層部又は上層部のうち少なくとも一方に不純物濃度1×1016〜1×1017atoms/cm3 の範囲内でドナーを含む第1の化合物半導体層と、前記第1の化合物半導体層に接続されるゲート電極と、前記ゲート電極の両側方に配置されるソース領域、ドレイン領域において、前記第1の化合物半導体層上に形成され、且つ前記第2のバンドギャップよりも狭い第3のバンドギャップを有し、前記第1のドナー濃度よりも高濃度である第3のドナー濃度を有する材料からなるキャップ層と、前記ソース領域において前記キャップ層の上に少なくとも一部が形成されるソース電極と、前記ドレイン領域において前記キャップ層の上に少なくとも一部が形成されるドレイン電極とを有することを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/872

FI (2件)：

H01L 29/80 H , H01L 29/48 M

Fターム (39件)：

4M104AA04 , 4M104BB09 , 4M104BB11 , 4M104BB28 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD08 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104FF07 , 4M104GG12 , 4M104HH20 , 5F102FA01 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GK05 , 5F102GK06 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM05 , 5F102GM06 , 5F102GN05 , 5F102GN06 , 5F102GQ02 , 5F102GR04 , 5F102GR10 , 5F102GS04 , 5F102GT04 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC19 , 5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (4件)

電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-208719 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-044868 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-203571 出願人：三菱電機株式会社

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