特許
J-GLOBAL ID：201103065953158076
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外7名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-383538
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244235
特許番号：特許第3517641号
出願日： 2000年12月18日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 化合物半導体層を含む半導体装置の製造方法であって、半導体基板上に堆積された第1化合物半導体層の上にマスク用膜を堆積する工程(a)と、上記マスク用膜を、開口部を有する形状にパターニングする工程(b)と、第1エッチング液を用いて、上記マスク用膜をマスクとするエッチングを行なって、上記開口部内の領域に位置する上記第1化合物半導体層のうちの少なくとも上記工程(a)によってプラズマまたは熱によるダメージを受けて変成した変成層または上記工程(b)においてエッチングガスによって変成した変成層を含む最上部を除去する工程(c)と、上記第1化合物半導体層に対するエッチングレートが上記第1エッチング液よりも低い第2エッチング液を用いて、上記マスク用膜をマスクとするエッチングを行なって、上記開口部内の領域に位置する上記第1化合物半導体層のうちの上記最上部を除く部分を除去することによって、上記第1化合物半導体層をパターニングする工程(d)と、を含む半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306
, H01L 21/308
, H01S 5/227
H01L 21/308 C
, H01S 5/227
, H01L 21/306 S
