特許
J-GLOBAL ID：201103065961061375
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-210551
公開番号（公開出願番号）：特開2011-061073
出願日： 2009年09月11日
公開日（公表日）： 2011年03月24日
要約：
【課題】半導体チップのCoC接続工程の時間短縮を実現することができ、半導体装置の製造工程のスループットを向上させる手段を提供する。【解決手段】ウエハステージ13上にバンプ電極15が上になるように半導体ウエハ14を載せ、バンプ電極16が下になるように仮圧着ヘッド11に半導体チップ2を吸着し、先ず、半導体ウエハ14のバンプ電極15と半導体チップ2のバンプ電極16を仮圧着する。その後、先に仮圧着した複数の半導体チップ2を本圧着ヘッド12で強く圧着する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
ウエハステージと、
複数の圧着ヘッドと
を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F044PP15
, 5F044PP16
, 5F044PP19
, 5F044RR02
