エッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-017916
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216135
特許番号：特許第3330554号
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体集積回路の金属配線の上に形成されており、有機成分とシリカ成分との共重合体よりなる有機無機複合膜からなる層間絶縁膜のエッチング方法であって、前記層間絶縁膜に対して、アンモニアガス及びフッ素ガスを主成分とするエッチングガスからなるプラズマを用いて前記層間絶縁膜を酸化させることなく異方性エッチングを行なうことを特徴とするエッチング方法。

IPC (1件)：