特許

J-GLOBAL ID：201103066120167779

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： 竹内 博明 ,  ▲かど▼野 勝 ,  奥田 徹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-240627
公開番号（公開出願番号）：特開2001-064778
特許番号：特許第3649378号
出願日： 1999年08月26日
公開日（公表日）： 2001年03月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1ガス導入口と第1ガス排気口とを有するチャンバ内に、第1電極および基板を搭載する第2電極が配置され、該第1電極の少なくとも一部と、該第2電極の一部とが、第1空間を隔てて、かつ、該基板のみを介して対向配置され、該第1ガス導入口から該第1空間にプラズマ処理用ガスを導入すると共に、該第1電極と該第2電極との間に高周波電圧を印加して、該第1空間の少なくとも一部でプラズマを発生させ、さらに、基板を搭載した該第2電極を移動させることによって、該基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、該第1ガス導入口と連通する連通導入口と、該第1ガス排気口と連通する連通排気口と、該第1空間において開口する第1開口部と、該第1開口部の近傍において該第2電極または該基板と第2空間を隔てて対向する第2電極対向部とを有するカバー体を備え、該カバー体は、該第2電極および該基板と接触せずに、該第1電極、および該第2電極または該基板と共に、該連通導入口から該第1空間を通って該連通排気口に向かう該プラズマ処理用ガスの主ガス流路を構成し、該主ガス流路を流れる該プラズマ処理用ガスの流線に急激な変化が加わらないように、該第1電極、該第2電極および該カバー体が配置されているプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平2-267272
  
• 特開平2-267273
  
• シート状基材の放電プラズマ処理方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-296814   出願人：積水化学工業株式会社
• プラズマCVD製膜方法及びプラズマCVD製膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-229229   出願人：三菱重工業株式会社