特許

J-GLOBAL ID：201103066371994046

半導体製造用プラズマ処理装置の製作方法

発明者： 縄田 誠 ,  藤城 正晴 ,  山根 知幸
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 井上 学
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-179463
公開番号（公開出願番号）：特開2002-373884
特許番号：特許第3890923号
出願日： 2001年06月14日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体製造用プラズマ処理装置の製作方法において、 前記プラズマ処理装置のプラズマに晒される部品であって、少なくともNaを含んだ切削油を用いて機械加工された部品または苛性ソーダ(NaOH)を用いて表面処理された部品を、前記プラズマ処理装置に組み込む前に温純水によって洗浄し、前記部品に残留するNaの量を3.2ng/cm2以下とした後に、前記プラズマ処理装置に組み込むことを特徴とする半導体製造用プラズマ処理装置の製作方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  B01J 19/08 ( 200 6.01) ,  C23C 14/00 ( 200 6.01) ,  C23C 16/44 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/304 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 21/302 101 H ,  B01J 19/08 H ,  C23C 14/00 B ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 642 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 超高純度流体供給配管系及びその施工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-331351   出願人：大見忠弘
• 特開昭61-034931