特許
J-GLOBAL ID：201103066591664179
フローティングゲートを利用した半導体不揮発性メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
土井 健二
, 林 恒徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-050765
公開番号（公開出願番号）：特開2002-251887
特許番号：特許第4205311号
出願日： 2001年02月26日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体不揮発性メモリにおいて,
半導体基板上にトンネル絶縁膜を介してフローティングゲートが設けられ,更にコントロールゲートを有する複数のメモリセルと,
消去対象のメモリセルの前記コントロールゲートにリーク検出電圧を印加してセルリーク電流を検出し,当該検出されるセルリーク電流に応じて,前記コントロールゲート及び半導体基板間に印加する消去電圧を制御する消去制御回路とを有し,
前記消去制御回路は,前記リーク電流が消去時間に応じて上昇する基準電流値と同等である場合は,前記消去電圧を消去時間に応じて上昇する基準電圧値に維持し,前記セルリーク電流が消去時間に応じて上昇する基準電流値より低い場合は,前記消去電圧を消去時間に応じて上昇する基準電圧値より高くし,前記セルリーク電流が前記基準電流値より高い場合は,前記消去電圧を消去時間に応じて上昇する基準電圧値より低くすることを特徴とする半導体不揮発性メモリ。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 612 E
, G11C 17/00 612 B
