窒化珪素系膜の成膜方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹内澄夫 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-243914
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068470
特許番号：特許第3406250号
出願日： 1999年08月30日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】真空排気された反応チャンバを有する枚葉式のプラズマCVD装置を使って被処理体上に層間絶縁膜としての窒化珪素系膜を成膜する方法であって、前記窒化珪素系膜はSiN:H若しくはSiON:Hであり、材料ガスとして所定の流量のモノシランガス(SiH4)及び窒素ガス(N2)を前記反応チャンバ内に導入する工程と、前記被処理体を所定の温度で熱処理する工程と、から成り、前記窒素ガスの流量が前記モノシランガスの流量の少なくとも100倍であるところの方法。

IPC (1件)：