特許

J-GLOBAL ID：201103067579496747

ゲート構造側壁の酸化膜の形成方法

発明者： 堅田 富夫 ,  アツール・シー・アーメラ ,  カラナム・バラスブラマンヤム ,  シャン-ビン・コ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション ,  株式会社東芝
代理人 (4件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-122947
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345970
特許番号：特許第3754234号
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板上に、絶縁膜、導電層、金属シリサイド層を順次形成する工程と、 前記絶縁膜、導電層、および金属シリサイド層をエッチングして、ゲート絶縁膜、ゲート導電層、およびゲートシリサイド層からなるゲート構造を形成する工程と、 前記ゲート構造の側壁に酸化膜を形成するために連続する第1の熱処理および第2の熱処理で前記ゲート構造を熱処理する際に、前記第1の熱処理において前記ゲート構造を第1の熱処理条件で熱処理して前記ゲート構造の側壁に薄い酸化膜を形成し、前記第2の熱処理において前記ゲート構造を第2の熱処理条件で熱処理して前記薄い酸化膜を厚くし、それにより前記ゲート構造の側壁に前記酸化膜を形成する工程と、を具備してなり、 前記第1の熱処理条件は、前記ゲート構造を熱処理温度700ないし1000°Cの窒素(N2)雰囲気内で熱処理することであり、 前記第2の熱処理条件は、前記ゲート構造を熱処理温度1000ないし1150°Cの酸素(O2)雰囲気内で熱処理することであることを特徴とするゲート構造側壁の酸化膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/10 671 Z

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平4-207034
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-307729   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• 特開平4-155967
  
• 特開昭62-174923
  

審査官引用 (7件)

• 特開平4-207034
  
• 特開平4-207034
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-307729   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• 特開平4-155967
  
• 特開平4-155967
  
• 特開昭62-174923
  
• 特開昭62-174923