特許
J-GLOBAL ID：201103067640774658
Wポリサイドゲート構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外7名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-285611
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110964
特許番号：特許第3410070号
出願日： 2000年09月20日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に適用して、順番にゲート絶縁膜とドープトポリシリコン膜、そしてWシリサイド膜を前記半導体基板上に形成して、高温製造工程を行い、窒化反応気体を使用して前記Wシリサイド膜の表面を窒化、タングステン窒化膜を形成して、前記タングステン窒化膜上に保護膜を形成して、そして順番に前記保護膜、前記タングステン窒化膜、前記Wシリサイド膜そして前記ドープトポリシリコン膜をパターニングしてWポリサイドゲート構造を形成するステップを含み、上記高温製造工程がRTP、上記窒化反応気体がアンモニアガス、上記窒化反応気体の圧力が1大気圧、前記RTPの反応温度が750°C以上、前記RTPの反応時間が60秒以上であることを特徴とするWポリサイドゲート構造の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 29/78
, H01L 21/28
, H01L 21/28 301
, H01L 21/285
, H01L 21/318
, H01L 29/43
H01L 21/28 B
, H01L 21/28 301 A
, H01L 21/285 C
, H01L 21/318 A
, H01L 29/78 301 G
, H01L 29/62 G
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る
