特許
J-GLOBAL ID：201103067812722787
CZシリコン単結晶の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
森 道雄
, 穂上 照忠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-282725
公開番号（公開出願番号）：特開2001-106591
特許番号：特許第4048660号
出願日： 1999年10月04日
公開日（公表日）： 2001年04月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 チョクラルスキー法(CZ法)により引き上げ育成するシリコン単結晶の製造方法であって、引き上げ中単結晶の中心部の温度をT(°C)とし、その温度を示す位置での引き上げ軸に垂直な面上において、引き上げ軸方向に対する温度勾配が、中心部ではGc(°C/mm)、ウェーハとしての最終製品の外周辺位置に相当する周辺部ではGp(°C/mm)であるとするとき、垂直方向温度勾配の比Gc/Gpが、T≧1230°Cの範囲で下記▼1▲および▼2▲式を満足している状態にて、引き上げをおこなうことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
T>1360°Cのとき Gc/Gp≧-0.007T+10.62 ・・・・ ▼1▲
T=1230〜1360°Cのとき Gc/Gp≧1.0 ・・・・・・・ ▼2▲
IPC (2件)：
C30B 15/20 ( 200 6.01)
, C30B 29/06 ( 200 6.01)
C30B 15/20
, C30B 29/06 502 E
