特許

J-GLOBAL ID：201103067827206386

半導体集積回路

発明者： 小澤 浩幸 ,  橋本 賢治 ,  山内 英彰
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-322814
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231815
特許番号：特許第3806016号
出願日： 2001年10月19日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】積層される複数の配線層と、該複数の配線層のうち第1の配線層に所定の間隔を最小間隔として配置され、該所定の間隔だけ離れて配線が両側に存在する第1の配線と、該所定の間隔だけ離れた位置には両側において配線が存在しない第2の配線とを含む複数の配線と、該第1の配線層の1つ上又は下にある第2の配線層において、該第1の配線の位置に対応する位置に配置されると共に、該第2の配線の位置に対応する位置には配置されないダミーパターンを含むことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (5件)：

H01L 21/82 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 23/52 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/82 W ,  H01L 27/04 D ,  H01L 21/88 S

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 集積回路とそのパターン設計方法及び設計装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-190795   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置、半導体装置のパターン設計方法、および半導体装置のパターン設計装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-338437   出願人：三菱電機株式会社