特許
J-GLOBAL ID：201103067993569659
半導体基板表面の清浄化方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 利夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-188621
公開番号（公開出願番号）：特開平3-053525
特許番号：特許第2803850号
出願日： 1989年07月20日
公開日（公表日）： 1991年03月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】加圧流体の導入によって生成されたコアンダスパイラルフローによって該流体を半導体基板表面に吹きつけて微粒子または粉状物を除去することを特徴とする半導体基板表面の清浄化方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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