特許

J-GLOBAL ID：201103068007274626

半導体集積回路

発明者： 樋口 勉
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084041
公開番号（公開出願番号）：特開2000-285675
特許番号：特許第3459192号
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体装置の外部からの外部電源電位を供給する外部電源電位配線と、第1のメモリセルアレイに接続された第1のセンスアンプアレイと、前記第1のメモリセルアレイと隣りあって配置される第2のメモリセルアレイに接続された第2のセンスアンプアレイと、第1のスイッチ手段を介して前記第1のセンスアンプアレイを構成する複数のセンスアンプにセンスアンプ駆動用電源電位を供給するために、該センスアンプ駆動用電源電位を該第1のスイッチ手段へ伝達する第1の配線部と、該第1の配線部と接続され、第2のスイッチ手段を介して前記第2のセンスアンプアレイを構成する複数のセンスアンプにセンスアンプ駆動用電源電位を供給するために、該センスアンプ駆動用電源電位を該第2のスイッチ手段へ伝達する第2の配線部とで構成されたセンスアンプ駆動用電源電位配線と、前記外部電源電位配線と前記第1の配線部との間に接続された第3のスイッチ手段と、前記外部電源電位配線と前記第2の配線部との間に接続された第4のスイッチ手段と、基準電位と前記第3のスイッチ手段近傍の前記センスアンプ駆動用電源電位及び該基準電位と前記第4のスイッチ手段近傍の前記センスアンプ駆動用電源電位とを比較し、その比較結果である出力信号によって前記第3のスイッチ手段と前記第4のスイッチ手段とを制御する制御回路とを有し、前記センスアンプ駆動用電源電位配線は前記第1と前記第2のセンスアンプアレイとを横断する方向に延在し、前記第3のスイッチ手段と前記第4のスイッチ手段との間には前記第1及び前記第2のメモリセルアレイが配置されていることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (5件)：

G11C 11/409 ,  G11C 11/401 ,  G11C 16/06 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (4件)：

G11C 11/34 353 E ,  G11C 11/34 371 K ,  G11C 17/00 634 C ,  H01L 27/04 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-142779
  
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-003878   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-065904   出願人：日本電気株式会社