特許

J-GLOBAL ID：201103068030744559

電界効果トランジスタ、半導体基板、電界効果トランジスタの製造方法及び半導体基板の製造方法

発明者： 手塚 勉 ,  杉山 直治
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (2件)： 竹花 喜久男 ,  宇治 弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-199820
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017705
特許番号：特許第3648466号
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 Si層と、このSi層表面上に形成されたSi酸化物層と、このSi酸化物層表面上に形成された、Si酸化物にGe酸化物を含有したGe酸化物含有層と、このGe酸化物含有層表面上に形成された格子緩和SiGe層と、この格子緩和SiGe層表面上に形成された歪Si層あるいは歪SiGe層と、この歪Si層あるいは歪SiGe層表面上に形成されたゲート絶縁層と、このゲート絶縁層表面上に形成されたゲート電極と、前記歪Si層あるいは歪SiGe層中に形成されたソース領域及びドレイン領域とを具備することを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/12

FI (6件)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 27/12 B ,  H01L 29/78 618 E ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 21/76 D ,  H01L 21/76 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• SIMOX半導体構造および形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-236905   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
• 特開昭62-051240