特許
J-GLOBAL ID:201103068070281900
半導体の製造に適した構造化ウェハを修正するための加工液およびその方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
青山 葆
, 山本 宗雄
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-603322
特許番号:特許第4074434号
出願日: 1999年06月08日
請求項(抜粋):
【請求項1】 酸化剤と、
イオン緩衝剤と、
パッシベーション剤と、
イミノ二酢酸とその塩から選ばれるキレート化剤と、
水と、
を含む成分の溶液である、半導体デバイスの製造に適したウェハ表面を修正するのに用いる加工液。
IPC (4件):
H01L 21/304 ( 200 6.01)
, C09K 3/14 ( 200 6.01)
, B24B 37/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/308 ( 200 6.01)
FI (8件):
H01L 21/304 622 C
, C09K 3/14 550 Z
, C09K 3/14 550 C
, C09K 3/14 550 G
, B24B 37/00 H
, H01L 21/304 621 Z
, H01L 21/304 622 D
, H01L 21/308 G
引用特許:
出願人引用 (2件)
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特開昭63-272460
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半導体ウェーハ処理液
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-103191
出願人:株式会社東芝
審査官引用 (1件)
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