特許
J-GLOBAL ID：201103068260680975
半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-375671
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189082
特許番号：特許第3804907号
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 残留分極によってデータを保持する複数の第1の強誘電体記憶素子、および製造段階においてデータを書き込むための、前記第1の強誘電体記憶素子よりも容量の大きい第2の強誘電体記憶素子を備えたメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイに対して行方向の選択をおこなうための複数の行選択線と、
前記メモリセルアレイに対して列方向の選択をおこなうための複数の列選択線と、
を具備し、
前記第2の強誘電体記憶素子は、複数の前記第1の強誘電体記憶素子により構成されることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G11C 11/22 501 A
, G11C 11/22 501 Z
