特許
J-GLOBAL ID：201103068384918244
光磁気ディスク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-258041
公開番号（公開出願番号）：特開2003-067994
特許番号：特許第4471060号
出願日： 2001年08月28日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 順に積層された第1誘電体層,再生層,再生補助層,非磁性層,記録層,第2誘電体層および熱拡散層を有し、前記記録層に情報を記録すると共に、その記録した情報を前記記録層から前記再生層に転写して再生する光磁気ディスクであって、
前記第1誘電体層は、90nmの厚みを有すると共にケイ素(Si)の窒化物からなり、
前記再生層は、20nmの厚みを有すると共にGd31 Fe54 Co15 のアモルファス膜からなり、
前記再生補助層は、10nmの厚みを有すると共にGd11Fe89のアモルファス膜からなり、
前記非磁性層は、2.5nmの厚みを有すると共にケイ素の窒化物膜からなり、
前記記録層は、40nmの厚みを有すると共にTb19 Fe66 Co15 のアモルファス膜からなり、
前記第2誘電体層は、ケイ素(Si)の窒化物からなり、
前記熱拡散層は、チタン含有率が1.5質量%のAlTiからなり、
前記第2誘電体層の厚みをx[nm]、前記熱拡散層の厚みy[nm]とすると、
前記第2誘電体層の厚みxは26.5nm以上50.0nm以下であり、
前記熱拡散層の厚みyは5nm以上24.5nm以下であり、
前記第2誘電体層の厚みxが35nm以上の場合には、前記熱拡散層の厚みyはy≦0.3x+9.5の範囲内であり、
前記第2誘電体層の厚みxが30.5nm以上35nm未満の場合には、前記熱拡散層の厚みyはy≦0.78x-7.22の範囲内であり、
前記第2誘電体層の厚みxが26.5nm以上30.5nm未満の場合には、前記熱拡散層の厚みyは-1.25x+43.1≦y≦1.63x-33.1の範囲内である
ことを特徴とする光磁気ディスク。
IPC (1件)：
FI (5件)：
G11B 11/105 516 F
, G11B 11/105 516 K
, G11B 11/105 531 D
, G11B 11/105 531 E
, G11B 11/105 531 V
