特許
J-GLOBAL ID：201103068522634775
半導体集積回路及びそのテスト方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古溝 聡 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-008862
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208567
特許番号：特許第3201368号
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】情報の書き込み及び消去が可能な不揮発性メモリに書き込まれたプログラムまたはデータを使用して処理を行う処理装置を搭載した半導体集積回路であって、前記不揮発性メモリは、外部接続端子を介して外部から情報を書き込むことが可能に構成されており、テスト段階において当該半導体集積回路の製造に使用されたウェハ、ウェハ上の位置、及びテスト結果を含む製品管理情報が書き込まれ、前記処理装置が処理を行うために必要なプログラムまたはデータは、テスト段階において書き込まれた前記製品管理情報の少なくとも一部を消去してから前記不揮発性メモリに書き込まれたものであることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 A
, G01R 31/28 U
