特許

J-GLOBAL ID：201103068668158819

裏面電極型太陽電池の製造方法、裏面電極型太陽電池および裏面電極型太陽電池モジュール

発明者： 横沢 雄二 ,  舩越 康志 ,  岡本 諭 ,  倉橋 孝尚
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 平井 良憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-020029
公開番号（公開出願番号）：特開2011-159783
出願日： 2010年02月01日
公開日（公表日）： 2011年08月18日
要約：

【課題】工数を低減して、効率的に製造することが可能な裏面電極型太陽電池、裏面電極型太陽電池の製造方法、および裏面電極型太陽電池モジュールを提供する。【解決手段】シリコン基板4の受光面に、シリコン基板4の導電型と同じ導電型になるような不純物を含む化合物、チタンアルコキシドおよびアルコールを少なくとも含む溶液を塗布し熱処理することにより受光面拡散層6と反射防止膜7とを形成する工程と、シリコン基板4の受光面に熱処理により受光面パッシベーション膜8を形成する工程とを有する裏面電極型太陽電池の製造方法。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

シリコン基板の受光面とは反対側の面にn型用電極とp型用電極とを有する裏面電極型太陽電池の製造方法において、 シリコン基板の受光面に、前記シリコン基板の導電型と同じ導電型になるような不純物を含む化合物、チタンアルコキシドおよびアルコールを少なくとも含む溶液を塗布し熱処理することにより受光面拡散層と反射防止膜とを形成する工程と、 前記シリコン基板の受光面に熱処理により受光面パッシベーション膜を形成する工程とを有することを特徴とする裏面電極型太陽電池の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (2件)：

H01L31/04 F ,  H01L31/04 A

Fターム (24件)：

5F051AA02 ,  5F051AA16 ,  5F051CB21 ,  5F051CB27 ,  5F051DA01 ,  5F051DA03 ,  5F051FA10 ,  5F051FA15 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15 ,  5F051HA03 ,  5F051HA20 ,  5F151AA02 ,  5F151AA16 ,  5F151CB21 ,  5F151CB27 ,  5F151DA01 ,  5F151DA03 ,  5F151FA10 ,  5F151FA15 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15 ,  5F151HA03 ,  5F151HA20

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 太陽電池における有害な分極の防止
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-558005   出願人：サンパワーコーポレイション
• 太陽電池セルとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-091443   出願人：シャープ株式会社
• 太陽電池セルおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-359676   出願人：シャープ株式会社
• 特開昭61-091972