特許
J-GLOBAL ID:201103068900303545

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-217788
公開番号(公開出願番号):特開2003-031762
特許番号:特許第3649165号
出願日: 2001年07月18日
公開日(公表日): 2003年01月31日
請求項(抜粋):
【請求項1】 第1の半導体チップの第1の電極に形成された第1のバンプと第2の半導体チップの第2の電極に形成された第2のバンプとが接続された半導体装置であって、前記第1のバンプのサイズが前記第2のバンプのサイズより大きく、前記第2のバンプが前記第1のバンプに埋没し、前記第1のバンプが前記第2の電極の周囲に形成された保護膜の段差部を覆い、前記第2の半導体チップの表面に形成された前記保護膜に接触していることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (1件):
H01L 25/08 B
引用特許:
審査官引用 (2件)

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