特許
J-GLOBAL ID:201103069025722330

半導体保護装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 畑 泰之
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-345401
公開番号(公開出願番号):特開2001-168321
特許番号:特許第3450244号
出願日: 1999年12月03日
公開日(公表日): 2001年06月22日
請求項(抜粋):
【請求項1】 第1導電型のウエル内にシャロートレンチアイソレーションを設け、このシャロートレンチアイソレーションを挟むようにして、一方の側に第2導電型のソース領域を設け、他方の側に第2導電型のドレイン領域を設け、且つ、前記第1導電型のウエル内にウエルコンタクトが設けられ、前記ソース領域とウエルコンタクトとが接続され、前記ドレイン領域には、ブレークダウン電流を流す為の湾曲部分を設け、前記ドレイン領域に正の高電圧が印加された時、前記湾曲部分に電界を集中させることで、この湾曲部分にブレークダウン電流を流すように構成した半導体保護装置であって、前記ドレイン領域の下側には、前記ドレイン領域の不純物濃度よりも濃度が薄い第2導電型の電界緩和領域を形成したことを特徴とする半導体保護装置。
IPC (5件):
H01L 29/78 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/088
FI (3件):
H01L 29/78 301 K ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/08 102 F
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 半導体保護装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-268363   出願人:日産自動車株式会社
審査官引用 (1件)
  • 半導体保護装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-268363   出願人:日産自動車株式会社

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