電歪により変位する積層変位素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：窪田法明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-037540
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230147
特許番号：特許第3833864号
出願日： 2000年02月16日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】複数のセラミック層と複数の内部電極とを積層してなり、該セラミック層はチタン酸バリウムを主成分とするセラミック粒子からなり、該内部電極に対して垂直な面に存在するセラミック粒子の平均粒径が3.5μm以上であり、該誘電体層一層中に一のセラミック粒子で形成されている一層一粒子の部分を備え、該内部電極に対して垂直な面において該平均粒径の間隔で該内部電極に対して垂直な線を引いたときの全部の線の数に対する該一層一粒子の部分にかかっている線の数の割合が30%以上であることを特徴とする電歪により変位する積層変位素子。

IPC (3件)：