特許

J-GLOBAL ID：201103069375677966

成膜方法

発明者： 坂本 浩一 ,  朴 永哲 ,  王 文凌 ,  鈴木 富士雄
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-109943
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313728
特許番号：特許第4686887号
出願日： 2001年04月09日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 多数の基板を反応容器の長さ方向に配列保持する保持具に基板を満載して反応容器内に搬入し、反応容器内を加熱すると共に反応容器内に処理ガスを供給して基板に成膜処理を行うフルバッチモ-ドと、前記保持具における基板の載置領域の一部に基板を保持させ、残りの載置領域を空き領域とした状態で成膜処理を行うショ-トバッチモ-ドと、を備えた成膜処理装置を用いて成膜処理を行う方法において、 空き領域にモニタ-基板を載置してショ-トバッチモ-ドを行う工程と、 この工程の後、前記モニタ-基板の膜厚を測定する工程と、 この工程における膜厚の測定結果に基づいて、空き領域に対応する位置にある装置部品の累積膜厚を予測する工程と、 累積膜厚の予測結果に基づいて、装置部品を洗浄するタイミングを決める工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C23C 16/52 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/52

引用特許：

審査官引用 (1件)

• バッチ式熱処理装置の運用方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-013531   出願人：東京エレクトロン株式会社