バッチ式熱処理装置の運用方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-013531
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340554
出願日： 2000年01月21日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】被処理体未載置の空き領域があっても熱処理の面内、面間均一性及び再現性も高く維持することができるバッチ式熱処理装置の運用方法を提供する。【解決手段】複数枚の被処理体Wを保持した被処理体保持具10を処理容器8内へ挿入し、前記処理容器の一端側より他端側へ向けて処理ガスを流しつつ前記被処理体に対して所定の処理を施すようにしたバッチ式熱処理装置の運用方法において、前記被処理体保持具に保持し得る最大枚数よりも少ない枚数の被処理体を処理する時には、前記被処理体を前記処理ガスの流れ方向の上流側に寄せた状態で保持し、この被処理体群の直ぐ下流側にダミー被処理体DWを保持させる。これにより、被処理体未載置の空き領域があっても熱処理の面内、面間均一性及び再現性も高く維持することが可能となる。

請求項（抜粋）：

複数枚の被処理体を保持した被処理体保持具を処理容器内へ挿入し、前記処理容器の一端側より他端側へ向けて処理ガスを流しつつ前記被処理体に対して所定の処理を施すようにしたバッチ式熱処理装置の運用方法において、前記被処理体保持具に保持し得る最大枚数よりも少ない枚数の被処理体を処理する時には、前記被処理体を前記処理ガスの流れ方向の上流側に寄せた状態で保持し、この被処理体群の直ぐ下流側にダミー被処理体を保持させるようにしたことを特徴とするバッチ式熱処理装置の運用方法。

IPC (8件)：

H01L 21/31 , F27B 5/04 , F27B 5/10 , F27B 5/18 , F27D 7/00 , F27D 7/06 , H01L 21/22 501 , H01L 21/22 511

FI (8件)：

H01L 21/31 B , F27B 5/04 , F27B 5/10 , F27B 5/18 , F27D 7/00 Z , F27D 7/06 C , H01L 21/22 501 S , H01L 21/22 511 S

Fターム (38件)：

4K061AA01 , 4K061AA05 , 4K061BA11 , 4K061CA08 , 4K061DA05 , 4K061GA02 , 4K061GA03 , 4K063AA05 , 4K063AA13 , 4K063BA12 , 4K063CA03 , 4K063DA01 , 4K063DA04 , 4K063DA26 , 4K063DA32 , 4K063DA33 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC05 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD11 , 5F045AE19 , 5F045AF03 , 5F045AF07 , 5F045AF19 , 5F045BB02 , 5F045BB03 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EC02 , 5F045EF02 , 5F045EF08 , 5F045EK22 , 5F045EK27 , 5F045EK30 , 5F045GB05 , 5F045GB06

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-190044 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-194423 出願人：日本電気株式会社
化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-340994 出願人：東洋炭素株式会社

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