アバランシェフォトダイオード

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願昭63-291583
公開番号（公開出願番号）：特開平2-137376
出願日： 1988年11月18日
公開日（公表日）： 1990年05月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】アバランシェ増倍に与る電子増倍層とキャリア発生に与る光吸収層とを少くとも積層した多層構造をInP基板上に備えたアバランシェフォトダイオードにおいて、InPに格子整合するInAlAs混晶と、InPに格子整合し室温における禁制帯幅が1.0eVから1.2eVの間にあるInGaAsP混晶を交互に積層し、前記InAlAs混晶と前記InGaAsP混晶との価電子帯不連続をほぼ0にした超格子を電子増倍層とすることを特徴とするアバランシェフォトダイオード。

IPC (1件)：