特許

J-GLOBAL ID：201103069692579740

薄膜圧電素子

発明者： 矢野 義彦 ,  野口 隆男 ,  阿部 秀典 ,  斉藤 久俊
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  青木 博昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-139997
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332569
特許番号：特許第4327942号
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 Si基板上に、エピタキシャル膜である金属薄膜を有し、この金属薄膜上にPZT薄膜を有し、このPZT薄膜における原子比Ti/(Ti+Zr)が0.65から0.75の範囲にあり、薄膜バルク波共振子である薄膜圧電素子。

IPC (5件)：

H03H 9/17 ( 200 6.01) ,  C30B 29/32 ( 200 6.01) ,  H01L 41/09 ( 200 6.01) ,  H01L 41/08 ( 200 6.01) ,  H01L 41/187 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H03H 9/17 F ,  C30B 29/32 A ,  H01L 41/08 U ,  H01L 41/08 D ,  H01L 41/18 101 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 圧電薄膜共振子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-003748   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-174123   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 膜構造体、電子デバイス、記録媒体および酸化物導電性薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-189065   出願人：ティーディーケイ株式会社