特許

J-GLOBAL ID：201103069787019114

高周波半導体装置

発明者： 松野 典朗
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-129297
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323658
特許番号：特許第3279282号
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板上に形成された能動素子と、該半導体基板上に形成された前記能動素子と外部との接続用に設けた金属配線とパッドとからなる高周波半導体装置において、前記半導体基板は、低抵抗の半導体層の上に高抵抗の半導体層が積層され、前記金属配線は、前記半導体基板上に形成された誘電体層の上に形成され、前記金属配線を含む領域の前記高抵抗な半導体層は、低抵抗化されていることを特徴とする高周波半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 21/822 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/082 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78 ,  H03F 3/195

FI (7件)：

H03F 3/195 ,  H01L 27/04 E ,  H01L 21/90 V ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/08 101 B ,  H01L 27/08 102 Z ,  H01L 29/78 301 W

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-023839   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-033364
  

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-023839   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-033364