特許
J-GLOBAL ID：201103069935775365
シリコンウェーハへのゲッタリング層付与方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
佐々木 功
, 川村 恭子
, 久保 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-127680
公開番号（公開出願番号）：特開2011-253983
出願日： 2010年06月03日
公開日（公表日）： 2011年12月15日
要約：
【課題】シリコンウェーハにゲッタリング層を付与し且つ抗折強度の低下も防止できるようにする。【解決手段】シリコンに対して不活性な気体のクラスターまたは窒素ガスのクラスターに電子を浴びせてクラスターイオン10を生成させ、加速電圧によって加速して、シリコンウェーハWの複数のデバイスが形成される表面W1と反対の裏面W2にクラスターイオン10を照射することにより、シリコンウェーハWの裏面W2に薄層のゲッタリング層を付与することで、シリコンウェーハWの表面W1側に金属原子が遊動して表面W1側のデバイスに悪影響を与えるのを防止するとともに、デバイスの抗折強度の低下を防止する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
シリコンに対して不活性な気体状の物質の塊状原子集団であるクラスターを形成し、これに電子を浴びせてクラスターイオンを生成させ、加速電圧によって加速して、シリコンウェーハの複数のデバイスが形成される表面と反対の裏面に該シリコンに対して不活性な気体状物質のクラスターイオンを照射し、該シリコンウェーハの裏面へゲッタリング層を付与するシリコンウェーハへのゲッタリング層付与方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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