窒素化合物ガスクラスターイオンビームによる窒化物もしくは窒化表面の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西澤利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-280525
公開番号（公開出願番号）：特開2000-087227
出願日： 1998年09月15日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：

【要約】【課題】 CVDよりも低温で、表面ダメージの少ない窒化ないしは窒化物形成を可能とする。【解決手段】固体表面に、窒素化合物ガスクラスターのイオンビームを照射することにより窒化物もしくは窒化表面を形成する。

請求項（抜粋）：

固体表面に、窒素化合物のガスクラスターのイオンビームを照射することにより窒化物もしくは窒化表面を形成することを特徴とする窒化物もしくは窒化表面の形成方法。

IPC (2件)：

C23C 14/32 , C23C 14/06

FI (2件)：

C23C 14/32 G , C23C 14/06 A

Fターム (9件)：

4K029AA02 , 4K029AA06 , 4K029BA58 , 4K029DA05 , 4K029DC05 , 4K029DC37 , 4K029FA03 , 4K029FA04 , 4K029HA01

引用特許：

審査官引用 (9件)

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窒素化合物ガスクラスターイオンビームによる窒化物 もしくは窒化表面の形成方法