半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 内藤浩樹 , 永野大介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-311997
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135891
特許番号：特許第4168555号
出願日： 1999年11月02日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】少なくとも内面に絶縁層が形成された分離溝により電位を独立にされた複数のレーザ構造を同一基板の上に備えた半導体レーザと、電極を有しかつ前記半導体レーザを前記分離溝側に面し前記電極を通じて載置する基体と、前記分離溝と前記基体との間に形成された放熱層とを有し、前記分離溝の内面において前記放熱層は前記絶縁層に接する半導体装置。

IPC (3件)：