特許

J-GLOBAL ID：201103070009624394

フッ素化ダイアモンド状炭素層を蒸着させるステップを含む素子の製造工程

発明者： チェン-シン パイ ,  ウェイ ヅー
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外10名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-065741
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330066
特許番号：特許第3378210号
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 フッ素化ダイアモンド状炭素層をイオンビーム蒸着で基板上に蒸着させるステップを含む素子の製造工程であって、蒸着の間、前記層が少なくとも10体積パーセントの多孔性をもつように、前記基板が-100°Cより低温に冷却されることを特徴とする素子の製造工程。

IPC (2件)：

H01L 21/314 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/314 A ,  H01L 21/90 K

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体デバイスおよび相互接続構造の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-173771   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 特公平4-028785
  
• 特開昭60-201635