半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-079345
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267509
特許番号：特許第3528750号
出願日： 2000年03月16日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】主表面と裏面とを有する第1導電型の半導体基板(1、31)と、前記半導体基板の前記主表面から垂直方向に延設されたトレンチ(2、21、32、35)内に形成され、前記半導体基板の厚み方向において不純物濃度がほぼ均一なエピタキシャル膜によって構成された第2導電型の抵抗層(3、33)からなる抵抗と、を備え、前記抵抗の長さ方向が前記半導体基板の厚み方向と一致していることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/822 , H01L 21/8234 , H01L 27/04 , H01L 27/06 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 653 , H01L 29/78 656

FI (5件)：

H01L 29/78 652 G , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 656 Z , H01L 27/04 P , H01L 27/06 102 A

引用特許：

出願人引用 (4件)

絶縁ゲート型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-021577 出願人：三菱電機株式会社
特開昭59-150466
特開昭53-120388

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審査官引用 (6件)

絶縁ゲート型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-021577 出願人：三菱電機株式会社
特開昭59-150466
特開昭59-150466

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