特許
J-GLOBAL ID：201103070264372188
配線基板及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-061899
公開番号（公開出願番号）：特開2011-198878
出願日： 2010年03月18日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：
【課題】半導体素子の実装時及びそれ以降に発生し得る基板の反りを低減すること。【解決手段】配線基板(パッケージ)10は、複数の配線層11,13,15,17,21が絶縁層12,14,16,18,20を介在させて積層され、各絶縁層に形成されたビア13a,15a,17a,21aを介して層間接続された構造を有している。配線基板10の、半導体素子41が実装される側と反対側の最外層の絶縁層20もしくはその近傍部分に、半導体素子41と同程度の弾性率及び熱膨張係数を有するシート状部材30が埋設されている。このシート状部材30は、半導体素子41が実装された後の基板面と直交する方向での弾性率及び熱膨張係数の分布をほぼ対称系とするのに十分な弾性率及び熱膨張係数を有する材料からなる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
複数の配線層が絶縁層を介在させて積層され、各絶縁層に形成されたビアを介して層間接続された構造を有する配線基板であって、
前記配線基板の、半導体素子が実装される側と反対側の最外層の絶縁層もしくはその近傍部分に、実装される半導体素子と同程度の弾性率及び熱膨張係数を有するシート状部材が埋設されていることを特徴とする配線基板。
IPC (2件)：
FI (5件)：
H01L23/12 301Z
, H01L23/12 Q
, H05K3/46 Q
, H05K3/46 T
, H05K3/46 B
5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA22
, 5E346AA32
, 5E346AA38
, 5E346AA43
, 5E346CC08
, 5E346DD02
, 5E346DD22
, 5E346DD32
, 5E346DD33
, 5E346EE33
, 5E346FF04
, 5E346FF45
, 5E346GG17
, 5E346GG28
, 5E346HH11
