特許
J-GLOBAL ID：201103070349157413

誘電体材料上に2つの電極を接続する半導体材料で作られたナノワイヤを成長する方法

発明者：
トマ、エルンスト

トマ、エルンスト について

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ティエリ、バロン

ティエリ、バロン について

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ピエール、フェレ

ピエール、フェレ について

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パスカル、ジェンティーレ

パスカル、ジェンティーレ について

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バセム、サーレム

バセム、サーレム について


出願人/特許権者：
コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ

コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブ について

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サントル、ナショナール、ド、ラ、ルシェルシュ、シアンティフィク、(セーエヌエルエス)

サントル、ナショナール、ド、ラ、ルシェルシュ、シアンティフィク、(セーエヌエルエス) について


代理人 (6件)： 勝沼 宏仁 ,  佐藤 泰和 ,  川崎 康 ,  関根 毅 ,  赤岡 明 ,  木本 大介
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-535423
公開番号（公開出願番号）：特表2011-505688
出願日： 2008年11月27日
公開日（公表日）： 2011年02月24日
要約：
金属材料で作られた電極(3)が、誘電体材料(2)の層上に形成される。少なくとも1つの電極(3)の最下層は、誘電体材料(2)の層と直接接触する触媒材料(4)を構成する。ナノワイヤ(6)は、触媒(4)を用いることにより、電極(3)間に、誘電体材料(2)の層に並行して成長する。次いで、2つの電極(3)を接続するナノワイヤ(6)は、単結晶半導体材料で作られ、誘電体材料(2)の層と接触する。
請求項（抜粋）：
2つの電極(3)を接続する単結晶半導体材料で作られたナノワイヤ(6)の成長方法であって、誘電体材料(2)の層上において、 前記電極(3)を形成し、 触媒(4)を用いることにより、電極(3)間に、前記誘電体材料(2)の層に並行してナノワイヤ(6)を成長させ、 前記電極(3)は、金属材料で作られ、前記触媒(4)は、前記電極(3)の少なくとも1つの最下層に形成され、前記最下層は、形成される前記ナノワイヤ(6)が前記誘電体材料(2)の層と接触するように、前記誘電体材料(2)の層と直接接触し、前記ナノワイヤは、前記触媒の厚さに相当する所定の直径を有する、ことを特徴とする方法。
IPC (5件)：
H01L 29/06 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  B82B 3/00 ,  C23C 16/24
FI (7件)：
H01L29/06 601N ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618A ,  B82B3/00 ,  C23C16/24
Fターム (33件)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030BB14 ,  4K030CA01 ,  4K030CA06 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  5F110AA16 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110BB08 ,  5F110BB11 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK21 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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