特許
J-GLOBAL ID:201103070358281534

放射線センサおよび放射線画像撮影装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-270511
公開番号(公開出願番号):特開2011-114229
出願日: 2009年11月27日
公開日(公表日): 2011年06月09日
要約:
【課題】可撓性を有する有機光電変換層を含む放射線センサおよびそれを使用した放射線画像撮影装置を提供する。【解決手段】放射線センサは、入射する放射線を、少なくとも該放射線とは異なる波長域の電磁波に変換する蛍光体層50が設けられた第一の可撓性基板18と、電荷発生剤および55質量%〜75質量%のポリマーバインダを含有する電荷発生層44並びに電荷輸送層42を含み、前記電磁波を光電変換する有機光電変換層40と、前記有機光電変換層40で発生した電荷を読み出すための、蓄積容量30および薄膜トランジスタ20を含む電荷検出層60が設けられた第二の可撓性基板10と、前記有機光電変換層40と前記電荷検出層60との間に配置された高分子下引き層12と、を有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
入射する放射線を、少なくとも該放射線とは異なる波長域の電磁波に変換する蛍光体層が設けられた第一の可撓性基板と、 電荷発生層並びに電荷輸送剤および55質量%〜75質量%のポリマーバインダを含有する電荷輸送層を含み、前記電磁波を光電変換する有機光電変換層と、 前記有機光電変換層で発生した電荷を読み出すための、蓄積容量および薄膜トランジスタを含む電荷検出層が設けられた第二の可撓性基板と、 前記有機光電変換層と前記電荷検出層との間に配置された高分子下引き層と、 を有する放射線センサ。
IPC (4件):
H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/42
FI (5件):
H01L27/14 K ,  H01L27/14 C ,  H01L29/78 618B ,  H01L31/08 T ,  H01L29/78 613Z
Fターム (63件):
4M118AA08 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CA32 ,  4M118CA40 ,  4M118CB05 ,  4M118CB11 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB23 ,  4M118GA10 ,  4M118GB04 ,  4M118GB13 ,  4M118HA27 ,  5F088AB11 ,  5F088AB13 ,  5F088BA20 ,  5F088BB07 ,  5F088CB05 ,  5F088DA05 ,  5F088EA04 ,  5F088FA02 ,  5F088GA02 ,  5F088KA08 ,  5F088LA08 ,  5F110AA30 ,  5F110BB10 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG24 ,  5F110GG43 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK33 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL22 ,  5F110HM03 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ19
引用特許:
審査官引用 (7件)
  • 放射線情報記録媒体
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-197539   出願人:大日本印刷株式会社
  • 放射線画像記録媒体
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-336519   出願人:富士写真フイルム株式会社
  • X線光電変換器
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-235832   出願人:新電元工業株式会社, 山梨電子工業株式会社
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