センサ及び非平面撮像装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：山下穣平 , 志村博 , 永井道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-325368
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165530
出願日： 2005年11月09日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：

【課題】非晶質酸化物を用いたセンサおよX線非平面イメージャ。【解決手段】センサは透明基板上に下部電極、非晶質酸化物半導体層、上部電極で構成される。イメージャは前期センサとTFTを組み合わせて構成する。X線検出にはシンチレータと組み合わせてもよい。上記膜によりTFTを作製することもできる。非晶質酸化物層の作製にはパルスレーザ蒸着法を用いた。上記膜の電子キャリア濃度は10^18/cm3未満であることを特徴とする。上記膜は伝導電子数の増加に伴い電子移動度が増大することを特徴とする。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

受容した電磁波を検知するセンサであって、第1の電極と、第2の電極と、該第1及び第2の電極の間に設けられている非晶質酸化物層とを備えることを特徴とするセンサ。

IPC (5件)：

H01L 31/026 , H01L 29/786 , H01L 27/146 , H01L 27/14 , C23C 14/08

FI (5件)：

H01L31/08 M , H01L29/78 618B , H01L27/14 C , H01L27/14 K , C23C14/08 K

Fターム (78件)：

4K029AA08 , 4K029AA09 , 4K029AA11 , 4K029AA24 , 4K029BA50 , 4K029BB10 , 4K029BD00 , 4K029CA02 , 4K029CA06 , 4K029DB05 , 4K029DB20 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC35 , 4K029EA03 , 4K029EA05 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118BA07 , 4M118CA02 , 4M118CA06 , 4M118CA11 , 4M118CA15 , 4M118CB05 , 4M118CB11 , 4M118CB14 , 4M118CB20 , 4M118DD12 , 4M118EA01 , 4M118FB03 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118GA10 , 4M118HA26 , 4M118HA27 , 5F088AA02 , 5F088AA11 , 5F088AB05 , 5F088BA20 , 5F088BB03 , 5F088BB10 , 5F088CA04 , 5F088CA08 , 5F088CA10 , 5F088DA05 , 5F088DA11 , 5F088DA20 , 5F088FA02 , 5F088GA02 , 5F088GA10 , 5F088HA15 , 5F088KA08 , 5F088LA03 , 5F088LA08 , 5F110AA05 , 5F110BB10 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK11 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110NN71 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-096983 出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (4件)

酸化物半導体PN接合デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-278214 出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道
高感度受光素子及び光センサー
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-096824 出願人：富士写真フイルム株式会社
光電変換素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-260369 出願人：富士ゼロックス株式会社

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