特許
J-GLOBAL ID：201103070380957096

積層セラミックコンデンサ

発明者：
東 勇介

東 勇介 について

, 
名古屋 雅昭

名古屋 雅昭 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-039960
公開番号（公開出願番号）：特開2011-176186
出願日： 2010年02月25日
公開日（公表日）： 2011年09月08日
要約：
【課題】 高誘電率であり、EIA規格のX5R特性を満足しつつ、DCバイアス特性およびDCエージング特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。 【解決手段】 誘電体層5が、チタン酸バリウムを主成分とし、カルシウムと、マグネシウムと、希土類元素とを有するとともに、主結晶粒子が、コアシェル構造の結晶粒子からなり、該結晶粒子は、カルシウムの濃度が0.3原子%より少ない第1の結晶粒子と、カルシウムの濃度が0.3原子%以上である第2の結晶粒子とを有するとともに、平均粒径が0.15〜0.4μmであり、コア部9aの結晶構造が正方晶系であるとともに、前記コア部を取り囲むシェル部9bの結晶構造が立方晶系であり、かつX線回折情報を基に算出した前記シェル部9bの平均厚みが5〜15nmである誘電体磁器からなる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
複数の誘電体層とニッケルを導体材料とする複数の内部電極層とが交互に積層されたコンデンサ本体と、該コンデンサ本体の前記内部電極層が露出した端面に設けられた外部電極とを有する積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体層が、チタン酸バリウムを主成分とし、カルシウムと、マグネシウムと、イットリウム,ジスプロシウム,ホルミウム,テルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも一種の希土類元素(RE)とを有し、バリウムとカルシウムとの合計量100モルに対し、前記マグネシウムをMgO換算で0.5〜1.2モル、前記希土類元素(RE)をRE2O3換算で0.5〜1.0モル含有するとともに、主結晶粒子が、前記チタン酸バリウムを主成分とし、前記カルシウムと、前記マグネシウムと、前記希土類元素(RE)とを固溶したコアシェル構造で、カルシウムの濃度が0.3原子%より少ない第1の結晶粒子およびカルシウムの濃度が0.3原子%以上である第2の結晶粒子からなり、該結晶粒子は、平均粒径が0.15〜0.4μmであり、コア部の結晶構造が正方晶系であるとともに、前記コア部を取り囲むシェル部の結晶構造が立方晶系であり、かつX線回折情報を基に算出した前記シェル部の平均厚みが5〜15nmであり、誘電体磁器の研磨面に見られる前記第1の結晶粒子の面積をS1、前記第2の結晶粒子の面積をS2としたときに、S2/(S1+S2)が0.4〜0.8である誘電体磁器からなることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
IPC (4件)：
H01G 4/12 ,  C04B 35/468 ,  H01B 3/12 ,  H01G 4/30
FI (4件)：
H01G4/12 358 ,  C04B35/46 D ,  H01B3/12 303 ,  H01G4/30 301E
Fターム (44件)：
4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031CA01 ,  4G031CA03 ,  4G031CA04 ,  4G031CA08 ,  4G031GA01 ,  4G031GA02 ,  4G031GA03 ,  4G031GA10 ,  4G031GA11 ,  4G031GA17 ,  5E001AB03 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE05 ,  5E001AF06 ,  5E082AB03 ,  5E082BC14 ,  5E082BC39 ,  5E082BC40 ,  5E082EE04 ,  5E082EE35 ,  5E082FF05 ,  5E082FG04 ,  5E082FG26 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5E082GG10 ,  5E082GG28 ,  5G303AA01 ,  5G303AB14 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB17 ,  5G303CB34 ,  5G303CB35 ,  5G303CB36 ,  5G303CB40 ,  5G303CB41
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM