特許
J-GLOBAL ID：201103071261379773
半導体メモリ装置および信号線切替回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
前田 弘
, 小山 廣毅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-141713
公開番号（公開出願番号）：特開2000-222897
特許番号：特許第3871469号
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】一のアドレス指定によって多ビットのアクセスが可能な半導体メモリ装置であって、
各アドレスにそれぞれ対応した複数のメモリセグメントを有するメモリアレイと、
データを並列に転送する複数本の信号線からなり、各メモリセグメントに対応してそれぞれ設けられた複数の第1のデータバスとを備え、
前記各メモリセグメントは、それぞれ、
メモリサブアレイと、
前記メモリサブアレイのビット線とそれぞれ接続され、データを並列に転送する複数本の信号線からなり、かつ、その本数が前記第1のデータバスよりも多い第2のデータバスと、
当該メモリセグメントに対応する前記第1のデータバスの信号線と前記第2のデータバスの信号線とを、予め設定された所定の関係に、電気的に接続するデータバス切替回路とを備えたものである
半導体メモリ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
審査官引用 (2件)
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同期型半導体記憶装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-230250
出願人：三菱電機株式会社
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特開平4-139700
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