特許
J-GLOBAL ID：201103071300458252
トレンチ素子分離膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
八田 幹雄
, 奈良 泰男
, 宇谷 勝幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-359530
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203895
特許番号：特許第4067815号
出願日： 2001年11月26日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板にトレンチエッチングパターンを形成し、エッチングによってトレンチを形成する段階と、
トレンチの内壁にシリコン窒化膜ライナを形成する段階と、
前記ライナの上にバッファ酸化膜を積層する段階と、
第1埋立酸化膜で前記トレンチを充填する段階と、
前記第1埋立酸化膜を湿式工程によってリセスして、前記トレンチのライナの上部を露出する段階と、
前記ライナの上部を等方性エッチングによって除去する段階と、
第2埋立酸化膜で前記トレンチのリセスされた空間を充填する段階とを含むことを特徴とする半導体装置のトレンチ素子分離膜の形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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