特許
J-GLOBAL ID：201103071500044827
高耐圧型半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-064591
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260985
特許番号：特許第3545633号
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】N型半導体基板と、前記基板表面に少なくとも素子領域として選択的に形成された第1のP型拡散層と、前記第1のP型拡散層を取り囲む、前記第1のP型拡散層より濃度の低い第2のP型拡散層と、前記第2のP型拡散層を取り囲み、かつ前記第2のP型拡散層とは所定の間隔を有する前記基板より高濃度のN型拡散層と、前記第2のP型拡散層を含む前記第1のP型拡散層と前記N型拡散層間の基板表面上に形成された半導電性膜とを具備し、前記半導電性膜下で前記第1のP型拡散層と前記N型拡散層間の前記第2のP型拡散層全表面が周辺の基板表面より低くなっていることを特徴とする高耐圧型半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 652 P
, H01L 29/78 658 G
