薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：机昌彦 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-302331
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127296
特許番号：特許第3538088号
出願日： 1999年10月25日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ゲート電極およびゲート配線が表面に設けられたガラス基板は該ゲート電極およびゲート配線を含めてゲート絶縁膜により覆われて、該ゲート絶縁膜の表面には積層構造のシリコン膜アイランドが設けられ、前記シリコン膜アイランドは、前記ゲート絶縁膜の表面を直接に覆うアンドープの第1のシリコン層,該第1のシリコン層の表面にO2リーク層からなり3nm以上8nm以下の厚さからなる第2のシリコン層,該第2のシリコン層の表面に設けられたアンドープの第3のシリコン層および該第3のシリコン層の表面に設けられたn+型の第4のシリコン層から構成されて、前記シリコン膜アイランドを含めて前記ゲート絶縁膜の表面にはソース配線,ソース電極およびドレイン電極が設けられ、該シリコン膜アイランドの前記第4,第3のシリコン層が該ソース電極およびドレイン電極に自己整合的に除去されてなることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 616 U , H01L 29/78 616 L

引用特許：

出願人引用 (11件)

特開昭61-005578
特開昭61-281555
特開平1-209764

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審査官引用 (9件)

特開昭61-005578
特開昭61-005578
特開昭61-281555

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