パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器及び粗化方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小越勇
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-571956
特許番号：特許第4189476号
出願日： 2001年12月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】スパッタリング中の不要な膜が堆積する面に放電加工痕を形成したスパッタリングターゲット、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器であって、前記放電加工痕は90°未満の俯角を有する傾斜した多数の突起からなり、剥離の原因となる円錐型突起を含んでおらず、かつ最大表面粗さRyが30μm以上であることを特徴とするパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット、バッキングプレート又はスパッタリング装置内の機器。

IPC (3件)：